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来源 ： 内容 综合自 kedglobal 。
Nvidia 正在敦促其内存供应商超越 JEDEC 官方的 HBM4 基准。据TrendForce报道，该公司已要求其 2026 Vera Rubin 平台实现每针 10Gb/s 的堆栈速度，此举旨在提高每 GPU 带宽，使其超越 AMD 的下一代 MI450 Helios 系统。
以每针 8Gb/s（JEDEC 为 HBM4 指定的速率）的速度计算，单个堆栈在新的 2,048 位接口上可提供略低于 2 TB/s 的传输速率。将其提升至 10Gb/s，则每个堆栈的总传输速率将达到 2.56 TB/s。使用六个堆栈时，单个 GPU 可释放 15 TB/s 的原始带宽。Rubin CPX是 Nvidia 专为处理最苛刻的推理工作负载而构建的计算优化配置，据称在整个 NVL144 机架上可实现每秒 1.7 PB 的传输速率。针脚速度越高，Nvidia 在其他方面达到这些数字所需的裕度就越小。
但驱动 10Gb/s HBM4 并非板上钉钉。更快的 I/O 会带来更高的功耗、更严格的时序，以及对基础芯片更大的压力。TrendForce 指出，如果成本或散热问题加剧，Nvidia 可能会按 HBM 层级细分 Rubin SKU。这意味着 Rubin CPX 将使用 10Gb/s 的部件，而标准 Rubin 配置将使用低速堆栈。后备方案已在考虑之中：错开供应商资格认证流程，延长验证窗口，以提升良率。
SK海力士仍然是Nvidia的主要HBM供应商，并表示已完成HBM4的开发，并准备进行量产。该公司提到了“超过10Gb/s”的性能，但尚未公布芯片规格、功率目标或工艺细节。
相比之下，三星在节点迁移方面更为积极。其 HBM4 基础芯片正在转向 4nm FinFET 工艺，这是一个逻辑级节点，旨在支持更高的时钟速度和更低的开关功耗。即使 SK 海力士的出货量更大，这也可能使三星在高端市场占据优势。美光已确认 HBM4 样品，其接口为 2,048 位，带宽超过 2 TB/s，但尚未透露是否支持 10Gb/s。
AMD 的 MI450 仍处于规划阶段，但其内存规格已为人所知。预计 Helios 机架每 GPU 最高可支持 432GB HBM4 显存，这使得 AMD 有机会在原始容量上追赶甚至超越英伟达。借助 CDNA 4，AMD 还获得了架构升级，旨在充分发挥 Rubin 的推理优势。
Nvidia 显然希望内存速度更快。但它越依赖 10Gb/s HBM4，就越容易受到供应商差异、良率风险和机架级功率限制的影响，而容错空间却越来越小。
三星为HBM4 扫清障碍
三星电子公司的最新高带宽内存获得了英伟达公司期待已久的认证，这为下一波人工智能硬件芯片供应竞争扫清了关键障碍。
据知情人士周五透露，这家韩国科技巨头最近通过了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试。此次获批是在三星完成芯片研发约18个月后，此前该公司曾多次尝试达到英伟达严苛的性能标准，但均以失败告终。
这一里程碑标志着三星在半导体行业最具战略意义的竞争领域之一——高带宽内存领域——技术信誉的象征性复苏。
Nvidia 的旗舰 B300 AI 加速器以及 Advanced Micro Devices Inc. (AMD) 的 MI350 都是准备部署大容量内存的系统之一。
此前，三星已向 AMD 交付了 HBM3E 12 栈芯片，但作为 AI 工作负载先进内存的主要买家，英伟达 (Nvidia) 仍未与其达成协议。
业内人士表示，这一突破很大程度上归功于三星芯片业务负责人兼副董事长全永铉 (Jun Young-hyun) 今年早些时候做出的决定，他重新设计了 HBM3E 的 DRAM 核心，解决了早期版本一直存在的热性能问题。
消息人士称，预计向英伟达供应的12层HBM3E芯片数量相对较少，因为继SK海力士和美光科技之后，三星是第三家获得批准的供应商。
一位业内高管表示：“对三星来说，供货与其说是为了收入，不如说是为了自尊。获得英伟达的认可意味着其技术重回正轨。”
然而，真正的战场已经转移到下一代。
高带宽内存的第六代产品HBM4预计将于明年在英伟达的下一代图形架构Vera Rubin（Blackwell AI芯片的继任者）中首次亮相。
三星的目标是通过部署其最先进的 10 纳米级 DRAM (1c) 和由其代工厂生产的 4 纳米逻辑芯片来缩小与竞争对手的差距，而竞争对手采用的是 1B DRAM 和 12 纳米逻辑芯片。
三星的早期性能指标令人鼓舞。Nvidia已要求供应商将 HBM4 的数据传输速度提高到每秒 10 千兆位以上，远高于当前 8 Gbps 的行业标准。
据知情人士透露，三星已演示了 11Gbps 的速度，超过了 SK 海力士的 10 Gbps，而美光公司则难以满足要求。
三星计划本月向 Nvidia 大量出货 HBM4 样品，旨在尽早获得认证。
今年4月，这家韩国芯片制造商表示，正在洽谈向英伟达、博通和谷歌等主要AI芯片制造商供应定制的第六代HBM4芯片。
三星表示，最早可能在2026年上半年开始向其客户大批量供应HBM4芯片。目前，三星在HBM竞争中落后于同城竞争对手SK海力士，未能与英伟达达成其先进内存芯片的订单。SK海力士是美国AI芯片设计公司英伟达最新HBM芯片的主要供应商。
为了追赶SK海力士，三星去年与其代工竞争对手台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）合作，共同开发HBM4。
分析师表示，如果下一轮HBM4芯片测试成功，三星将能够在人工智能计算核心内存领域夺回市场份额。
当被问及向英伟达供应12层HBM3E芯片的情况时，三星表示，它不会确认或评论与客户的任何交易。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4162期内容，欢迎关注。
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